一种辐射探测器及探测方法

申请号/专利号： 94194317
一种通过让离子辐射穿过气隙或气体空间作用于ＭＯＳＦＥＴ晶体管的浮栅（１３）表面来探测离子辐射的方法。为了这一目的，在形成探测器的ＭＯＳＦＥＴ晶体管的浮栅表面上形成了一个未覆盖区域。ＭＯＳＦＥＴ晶体管是这样来使用的：在它的浮栅上形成一层电荷，由于有晶体管暴露在其中的离子辐射的作用，所述电荷发生变化，从而通过栅电荷的变化测得辐射剂量。

申请日：	1994年10月28日
公开日：	1996年12月24日
授权公告日：	1998年10月21日
申请人/专利权人：	拉多斯技术公司
申请人地址：	芬兰图尔库
发明设计人：	朱卡·卡西莱宁
专利代理机构：	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人：	范本国
专利类型：	发明专利
分类号：	G01T1/24

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